規(guī)格型號(hào)：16779986
頻率：10~160MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：SHINSUNG晶振,SXO-D-SS晶振,SXO-D-SS-33ST-30HZ-155.520MHz晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼...

SHINSUNG晶振,SXO-D-SS晶振,SXO-D-SS-33ST-30HZ-155.520MHz晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
SHINSUNG晶振公司的發(fā)展如下：
1990年的Aug.1999成立Shinsung SAW Electronics Co.

1999年12月開(kāi)始生產(chǎn)晶體和振蕩器（osc，vcxo）

1999年12月開(kāi)始制造TCXO
2000年1月完成高頻VCXO （100MHz以上）的開(kāi)發(fā)
Mar.2001開(kāi)始開(kāi)發(fā)SMD OSC和Crystal
Jul.2002Jul.2002完成了可編程振蕩器的開(kāi)發(fā)
Jul.2002開(kāi)始批量生產(chǎn)可編程振蕩器
Jun.2005SMD生產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)張和樓宇自動(dòng)化
2006年8月開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD OSC和X-Tal（7050,5032尺寸）
2007年2月完成SMD VCXO（7050,5032尺寸）的開(kāi)發(fā)
Aug.2009完成SMD Crystal（3225尺寸）的開(kāi)發(fā)
2009年12月成SMD VCTCXO（5032尺寸）的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD VCXO（7050,5032尺寸）
2010年1月完成SMD振蕩器（3225尺寸）的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD水晶（3225尺寸）
2010年2月完成SMD LVPECL振蕩器,（7050尺寸）的開(kāi)發(fā).
2010年3月在800MHz頻段,（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL OSC的開(kāi)發(fā).
2010年4月在800MHz頻段（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL VCXO的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD振蕩器（3225尺寸）,開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD LVPECL振蕩器（7050尺寸）
2011年2月完成SMD VCTCXO（3225尺寸）的開(kāi)發(fā)
AUG.2011開(kāi)始生產(chǎn)SMD VCTCXO（3225尺寸）
Mar.2012成立附屬研究所。
SHINSUNG晶振公司主旨:以顧客為中心,基于價(jià)值的管理,人類和諧的價(jià)值;我們認(rèn)為我們的客戶是合作伙伴,并努力滿足并超越他們對(duì)質(zhì)量,客戶服務(wù)和價(jià)值的評(píng)價(jià),在生產(chǎn)石英晶體振蕩器方面出色,是其他公司難以對(duì)比.SHINSUNG晶振,SXO-D-SS晶振,SXO-D-SS-33ST-30HZ-155.520MHz晶振.

frequency range		10.0 ~ 160.0MHz	REMARK
frequency stability		± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )
supply voltage V DD		3.3V ± 5%
input current		100 mA max
operating temperature		STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃
storage temperature		-55℃ ~ 125℃
aging		±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
intergrate jitter RMS		1.0ps RMS (max)	Intergrated 12KHz to 20MHz
output	swing	0.35Vp-p typ. / 0.25Vp-p min.
	offset voltage	1.25V ± 0.125V
	load	100Ω differential
	rise / fall time	0.7ns typ. / 1.0ns max ( 20% to 80% of output waveform )
phase noise	@10 Hz	-75	offset from carrier
	@100 Hz	-95
	@1 KHz	-125
	@10 KHz	-140
	@100 KHz	-145
start up time		10 mS MAX
Tristate		enable : 0.7 V DD (min) / disable : 0.3 V DD (max)
All specifications are subject to change without notice

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.SHINSUNG晶振,SXO-D-SS晶振,SXO-D-SS-33ST-30HZ-155.520MHz晶振.

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