規(guī)格型號(hào)：16935377
頻率：1.8MHZ~160MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：臺(tái)灣加高晶振產(chǎn)品技術(shù)方面,除了不斷提升既有產(chǎn)品規(guī)格的精密度及穩(wěn)定性之外,我們更專注開發(fā)高溫度耐受性的產(chǎn)品、特殊應(yīng)用領(lǐng)域之規(guī)格,并朝小型化開發(fā)設(shè)計(jì),以滿足終端產(chǎn)品的發(fā)展趨勢.

臺(tái)灣加高有源晶振,HSO531S晶體,石英晶體振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

加高晶振參數(shù)	石英晶體HSO751
標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍	1.8MHZ~160MHZ
儲(chǔ)存溫度	-55°C ~+125°C
工作溫度	-10°C~ +70°C
電源電壓	+2.5V(±10%)	+2.85V(±10%)	+3.3V(±10%)	+5V(±10%)
精度	±20 ppm
拐點(diǎn)溫度	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	Series,15pF,30pF,50pF or Specify
串聯(lián)電阻（ESR）	70Ω Max

晶體具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等.當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),晶體的電阻是最低的,這意味著它是最簡單的晶體振蕩.當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式.因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式.該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的.

基頻模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下：
基頻模式B應(yīng)用.三次泛音模式的應(yīng)用程序

下表顯示升的匹配值,C由各種頻率三次泛音模式

頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍

這個(gè)問題的可能性相對(duì)較小.請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大.當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會(huì)發(fā)生.為了解決這個(gè)問題,請(qǐng)采用三次泛音模式晶體.

1.此外,放大電路,第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩.系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度.

2.也可以提高終端的電容解決方案,然后檢查波形幅度是否得到改善.

3.請(qǐng)確定使用頻譜分析儀機(jī)中斷信號(hào)的頻率.我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問題是根據(jù)頻率什么.

4.如果是從電源的交流信號(hào),請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的.請(qǐng)改為浮動(dòng),如果它不是.

5.如果信號(hào)具有高頻率,請(qǐng)使用以下方法：使用晶體外殼為接地.采用水晶較小C0.增加電路,鎘和CG的外部電容,并采用晶體具有較高的負(fù)載電容CL.

6.請(qǐng)檢查周圍電路和PCB布局,如果上面的方法都沒有能夠解決您的問題.如果兩者都正常,那么請(qǐng)你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設(shè)計(jì)的不明信號(hào)的反應(yīng).改變周圍電路的設(shè)計(jì)只能緩解問題,而不是完全解決它.通常.這將是最好找出來的芯片組設(shè)計(jì)問題并解決它.

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