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更多>>- 規(guī)格型號:97603820
- 頻率:8M-44MHZ
- 尺寸:7.0*5.0mm
- 產(chǎn)品描述:小尺寸的TCXO溫補晶振內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點膠技術(shù),晶片膠點的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內(nèi),確保TCXO晶體產(chǎn)...
富士通晶振,有源晶振,FTC-700晶振,壓控溫補振蕩器


富士通晶振,有源晶振,FTC-700晶振,壓控溫補振蕩器,有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
7050mm體積的有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器,石英晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
7050mm體積的有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器,石英晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

10月
晶振廠家參展東京商務(wù)峰會。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開始銷售富士通晶振,有源晶振,FTC-700晶振,壓控溫補振蕩器。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動汽車開始銷售。
2014年7月
晶振小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補助金。
晶振廠家參展東京商務(wù)峰會。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開始銷售富士通晶振,有源晶振,FTC-700晶振,壓控溫補振蕩器。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動汽車開始銷售。
2014年7月
晶振小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補助金。
規(guī)格.jpg)
石英晶振規(guī)格 | 單位 | FTC-700 5.0*7.0mm 晶振說明 | 進(jìn)口振蕩器基本條件 |
額定頻率范圍 | f_nom | 8M-44MHZ | 晶振標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 | T_stg | -40°C ~ +85°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | -10°C ~ +70°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V | |
頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息. |
頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 | CL | 15pF | 超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |

7-1:機(jī)械振動的影響
當(dāng)貼片晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
當(dāng)貼片晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
7-2:PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。進(jìn)口晶振當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。進(jìn)口晶振當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 石英晶振請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。富士通晶振,有源晶振,FTC-700晶振,壓控溫補振蕩器
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 石英晶振請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。富士通晶振,有源晶振,FTC-700晶振,壓控溫補振蕩器
保方針(2).jpg)
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù):溫補晶體振蕩器,有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有7050SMD振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)。富士通晶振,有源晶振,FTC-700晶振,壓控溫補振蕩器
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):石英晶體振蕩器是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機(jī)器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):石英晶體振蕩器是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機(jī)器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

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