規(guī)格型號(hào)：42290356
頻率：24~54MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
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產(chǎn)品描述：Sunny晶振,SVK晶振,SVK3330GDDR12.000M晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15A以下,編帶包...

Sunny晶振,SVK晶振,SVK3330GDDR–12.000M晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
優(yōu)秀的研究具有滿腔的熱情為高科技發(fā)展的最佳實(shí)驗(yàn)室SUNNY是在世界市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力,電子行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),以保證開(kāi)發(fā)趨勢(shì)和多邊角度來(lái)看,如提高性能和工藝改進(jìn)的產(chǎn)品和零部件制造商進(jìn)行專門討論第二類產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的系統(tǒng)研究.

作為陶瓷封裝型振蕩器,VCXO,例如在攝像機(jī),數(shù)碼相機(jī),ADSL使用打印機(jī)作為表面安裝型形成和研發(fā)相對(duì)于SIZE的小型化.

為了提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率和提高質(zhì)量,有必要使設(shè)施自動(dòng)化.為此,我們正在努力提高設(shè)施的有效運(yùn)行和高精度模具的開(kāi)發(fā).
為了完成開(kāi)發(fā)的用于時(shí)鐘發(fā)生的公益性的戰(zhàn)場(chǎng)和通信產(chǎn)品的小型化,根據(jù)用于電子產(chǎn)品的小型化和低功耗IC傳感器的毛坯制造技術(shù)的基礎(chǔ)上,在低功率的穩(wěn)定振蕩我們專注于研究和開(kāi)發(fā).
Sunny晶振企業(yè)位于韓國(guó)忠州忠北的一個(gè)工業(yè)園內(nèi),中文名字叫做三呢晶振,成立的時(shí)間比較早,是1966年9月15號(hào)正式創(chuàng)辦的,Sunny Crystal主要開(kāi)發(fā),設(shè)計(jì),測(cè)試,生產(chǎn)石英晶體振蕩,TCXO溫補(bǔ)晶振,石英晶體等元件.Sunny晶振,SVK晶振,SVK3330GDDR–12.000M晶振.

ITEM	Value	Remarks
Output Logic Type	CMOS	CMOS VCXO
Frequency Range	24.000 MHz to 54.000 MHz	Fundamental
Supply Voltage(V DD )	3.3 V DC ±5 %
Operating Temperature Range	-20 to +70 ℃, -40 to +85 ℃
Storage Temperature Range	-55 to +125 ℃
Frequency Stability	±25ppm, ±30ppm, ±50ppm, ±80ppm, ±100ppm Max	Over operating temperature range
Input Current	10 mA Max.	With Load
Output Voltage Logic High(V OH)	90 % of V DD Min.
Output Voltage Logic Low(V OL )	10 % of V DD Max.
Rise / Fall Time	5 ns Max.	Measured over 10 % to 90 % of waveform
Duty Cycle	45 to 55 %, 40 to 60 %	Measured at 50% of waveform
Start-up Time	10 ms Max.
Output Load Condition(CMOS)	15 pF Max.
Frequency Deviation	±50 ppm Min., ±80 ppm Min.	Over Vc range
Control Voltage(Vc)	1.65 V ±1.35 V, 1.65 V ±1.65 V	Please specify
Linearity	10 % Max.
RMS Phase Jitter	1 ps Max.	BW : 12 kHz to 20 MHz
Frequency Aging	±5 ppm Max.	25 ℃, First year

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。Sunny晶振,SVK晶振,SVK3330GDDR–12.000M晶振.

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