規(guī)格型號(hào)：17825357
頻率：4~60MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
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產(chǎn)品描述：Sunny晶振,SVJ晶振,SVJ3330GDDR24.000M晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精...

Sunny晶振,SVJ晶振,SVJ3330GDDR–24.000M晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
優(yōu)秀的研究具有滿腔的熱情為高科技發(fā)展的最佳實(shí)驗(yàn)室SUNNY是在世界市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力,電子行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和產(chǎn)品的開發(fā),以保證開發(fā)趨勢(shì)和多邊角度來(lái)看,如提高性能和工藝改進(jìn)的產(chǎn)品和零部件制造商進(jìn)行專門討論第二類產(chǎn)品開發(fā)的系統(tǒng)研究.

作為陶瓷封裝型振蕩器,VCXO,例如在攝像機(jī),數(shù)碼相機(jī),ADSL使用打印機(jī)作為表面安裝型形成和研發(fā)相對(duì)于SIZE的小型化.

為了提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率和提高質(zhì)量,有必要使設(shè)施自動(dòng)化.為此,我們正在努力提高設(shè)施的有效運(yùn)行和高精度模具的開發(fā).
為了完成開發(fā)的用于時(shí)鐘發(fā)生的公益性的戰(zhàn)場(chǎng)和通信產(chǎn)品的小型化,根據(jù)用于電子產(chǎn)品的小型化和低功耗IC傳感器的毛坯制造技術(shù)的基礎(chǔ)上,在低功率的穩(wěn)定振蕩我們專注于研究和開發(fā).
Sunny晶振企業(yè)位于韓國(guó)忠州忠北的一個(gè)工業(yè)園內(nèi),中文名字叫做三呢晶振,成立的時(shí)間比較早,是1966年9月15號(hào)正式創(chuàng)辦的,Sunny Crystal主要開發(fā),設(shè)計(jì),測(cè)試,生產(chǎn)石英晶體振蕩,TCXO溫補(bǔ)晶振,石英晶體等元件.Sunny晶振,SVJ晶振,SVJ3330GDDR–24.000M晶振.

ITEM	Value	Remarks
Output Logic Type	CMOS	CMOS VCXO
Frequency Range	4.000 MHz to 60.000 MHz	Fundamental
Supply Voltage(V DD )	2.5 V DC , 3.3 V DC ±5 %
Operating Temperature Range	-20 to +70 ℃, -40 to +85 ℃
Storage Temperature Range	-55 to +125 ℃
Frequency Stability	±20ppm, ±25ppm, ±30ppm, ±50ppm, ±100ppm Max.	Over Operating Temperature range
Input Current	15mA Max (5 V), 10mA Max (3.3 V) 7mA Max (2.5 V)	With Load
Output Voltage Logic High(V OH)	90 % of V DD Min.
Output Voltage Logic Low(V OL )	10 % of V DD Max.
Rise / Fall Time	5 ns Max.	Measured over 10 % to 90 % of waveform
Duty Cycle	45 to 55 %, 40 to 60 %	Measured at 50% of waveform
Start-up Time	10 ms Max.
Output Load Condition(CMOS)	15 pF Max.
Frequency Deviation	±80 ppm Min., ±100 ppm Min.	Over Vc range
Control Voltage(Vc)	2.5 V ±2.0 V, 1.65 V ±1.35 V, 1.25 V ±1.05 V	Please specify
Linearity	10 % Max.
RMS Phase Jitter	1 ps Max.	BW : 12 kHz to 20 MHz
Frequency Aging	±3 ppm Max.	25 ℃, First year

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.Sunny晶振,SVJ晶振,SVJ3330GDDR–24.000M晶振.

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