規(guī)格型號：43208830
頻率：25~175MHz
尺寸：3.2*2.5mm
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產(chǎn)品描述：Pletronics晶振,LV44J晶振,LVDS輸出晶振,Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979年,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗.所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲、歐洲和北...

Pletronics晶振,LV44J晶振,LVDS輸出晶振,Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979年,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗.所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲、歐洲和北美的制造業(yè).Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產(chǎn)品設(shè)計創(chuàng)新,價格競爭有優(yōu)勢,訂貨交期時間短在業(yè)界具有較好的聲譽.

1979年,在美國華盛頓州成立了Pletronics公司,主營石英晶振,貼片晶振, 有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器等.
2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動,低電源電壓,低功耗等特點.
2005年第一個合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩(wěn)定性能,低功耗低抖動等特點.適用于高端精密設(shè)備中,比如高速光纖網(wǎng)絡(luò),北斗衛(wèi)星等.
2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.
2011年開發(fā)了LC振蕩器技術(shù),投入到各種高端智能設(shè)備,GPS衛(wèi)星導(dǎo)航,無線電基站, 北斗衛(wèi)星導(dǎo)航等領(lǐng)域應(yīng)用.
2013年引入GypSync®TCXO模塊
2014年引進100fs超低抖動的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器, 北斗導(dǎo)航溫補晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器
2015年推出了OeM8增強TCVCXO壓控溫補晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.
2016年引進了50fS超低抖動的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補晶體振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）.Pletronics晶振,LV44J晶振,LVDS輸出晶振.

型號	符號	LV44J晶振
輸出規(guī)格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	25~175MHz
電源電壓	V_CC	3.3V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±25×10^-6 max，±20×10^-6 max..
保存溫度范圍	T_stg	-55~+125℃
運行溫度范圍	T_use	-10~+70℃ ,-40~+85℃，-20~+70℃
消耗電流	I_CC	10mA max.
待機時電流（＃1引腳"L"）	I_std	15μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-
1電平電壓	V_OH	-
上升時間下降時間	tr, tf	0.4ns max. [20~80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247~0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補償電壓	V_OS	1.125~1.375V
補償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	10ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12)　(2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz]

存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。

Pletronics晶振,LV44J晶振,LVDS輸出晶振,Pletronics晶振公司運用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動對環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過業(yè)務(wù)發(fā)展推進環(huán)境改善.
Pletronics晶振環(huán)?；纠砟睿?br /> 1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關(guān)心維護地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
2.保護自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用普通晶體振蕩器（SPXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）壓電石英晶體、有源晶體資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進行有效利用.

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